Расчетно-Графическая работа ППД КД213А
Министерство высшего образования РФ.
Уральский государственный университет – УПИ
Кафедра “Технология и средства связи”
Расчетно-графическая работа
Полупроводниковый диод
«КД213А»
Преподаватель Болтаев А.В.
Студент Черепанов К.А.
Группа Р-207
Екатеринбург
2000
Аннотация
В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание
1. Краткая характеристика диода…………………………………….. 4
2. Паспортные параметры ………………………………………………. 4
2.1. Электрические…………………………………………………. 4
2.2. Предельные эксплуатационные…………………………. 4
3. Вольт-амперная характеристика…………………………………… 5
3.1. При комнатной температуре……………………………… 5
3.2. При повышенной……………………………………………… 6
4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6
5. Определение величины TKUпрям TKIобр…………………….. 6
6. Определение сопротивления базы rб…………………………….. 9
6.1. Приближенное…………………………………………………. 9
6.2. Точное…………………………………………………………….. 9
7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10
8. Библиографический список………………………………………… 10
9. Затраты времени на ………………………………………………….. 10
9.1. Информационный поиск…………………………………. 10
9.2. Расчеты…………………………………………………………. 10
9.3. Оформление…………………………………………………… 10
Краткая характеристика диода
Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
КД213А[1]
Рисунок 1
Паспортные параметры
Электрические
Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более
Т=+25°С…………………………………………………………………………………………1В
Постоянный обратный ток при, не более
Т=+25°С……………………………………………………………………………………0,2мА
Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А
КД213А……………………………………………………………………………………300нс
Емкость диода, не более
при Uобр=100 В………………………………………………………………550 пФ
при Uобр=5 В………………………………………………………………..1600 пФ
Предельные эксплуатационные
Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В
Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А
Импульсный прямой ток при tи≤ 10мс, Q≥1000……………………………100А
Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,………………………………………………………………………………………..10А
Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц
Тепловое сопротивление
переход-среда ……………………………….………………………………70К/Вт
переход-корпус ……………………………….……………………………1,5К/Вт
Температура перехода ………………………………………………………+140°С
Температура окружающей среды ……………………………………….-60°С…+85°С
Общая таблица параметров
Предельные значения параметров при Т=25˚С
Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С
Значения параметров при Т= 25˚С
R т п-к, ˚С/Вт
I пр, ср max А
Uобр, и, п мах, В
Uобр мах, В
Iпрг (Iпр, уд)мах, А
fмах, кГц
Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В
tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс
I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА
Т˚С
tи(tпр), мс
Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А
Iпр, и, А
Uпр, и, В
10
85
200
200
100
10
100
140
1
10
0,3
1
20
0,2
1,5
Вольт-амперная характеристика
При комнатной температуре
При повышенной
Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С
Зависимость R= от Uпр
Uпр
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
R=
0,3
0,2333333
0,16
0,1125
0,090909
0,073333
Зависимость r~ от Uпр
Uпр
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
r~
0,1
0,0666667
0,05
0,044444
0,038462
Зависимость R= от Uобр
Uобр
50
100
150
200
250
300
R=
3571429
6666666,7
8333333
4878049
2777778
1304348
Зависимость r~ от Uобр
Uобр
50
100
150
200
250
r~
50000000
25000000
5555556
2631579
1157407
Зависимость Cдиф от Uпр
Uпр
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
Сдиф
0,08
0,12
0,2
0,32
0,44
0,6
Зависимост Сб от Uобр
Определение величины TKUпрям TKIобр
Определение сопротивления базы rб
Приближенное
Точное
Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема
Библиографический список
1. Диоды и их зарубежные аналоги Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М. ИП РадиоСофт, 1998-640с.
2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М. Связь , 1979.– 432 с., ил.
3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М. Радио и связь, 1990.—336 с. ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)
4. Полупроводниковые приборы Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М. Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.
5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.
Затраты времени на
a) Информационный поиск-72 часf
b) Расчеты-1час (67 мин.)
c) Оформление- 6 часов (357мин.)
[1] Зарубежный аналог КД213А — 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США