Введение В 1965 году, на заре компьютерной эры, директор отдела исследовательской компании Fairchild Semiconductors Гордон Мур предсказал, что количество транзисторов на микросхеме будет ежегодно удваиваться. Прошло уже 35 лет, а закон Мура» по-прежнему действует. Правда, со временем практика микроэлектронного производства внесла в него небольшую поправку сегодня считается, что удвоение числа транзисторов происходит каждые 18 месяцев.
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ УКРАЇНИ ХАРЬКІВСКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ПОЛІТЕХНИЧНИИЙ УНІВЕРСІТЕТ Кафедра Обчислювальної техніки та програмування Контрольна робота По курсу “Комп’ютерна електроніка” гр. АПЗ-38 Борщ Сергія 310168 Харків вул. Ак. Павлова б. 311-А кв.109 Харьків 2000. ЗАДАЧА № 2. Пpедложите формирователь коротких импульсов по переднему фронту положительного прямоугольного импульсного сигнала на основе дифференцирующих RC-цепей, диодов и усилителей-формирователей. Уровни входных
На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Их основные параметры Iпр max -максимальный прямой ток; Vпр — падение напряжения на диоде при прямом смещении и заданном токе; Iобр -ток через диод при обратном смещении и заданном напряжении; Vобр max
Автор Терлецкая Л.И. (Ангарское Опытно Конструкторское Бюро Автоматики) Редакция текста Шереметьев А.Н.(Ангарская Государственная Технологическая Академия) E–mail andsh@mail.amursk.ru 1. Введение Электроника представляет собой бурноразвивающуюся отрасль науки и техники. Она изучает физические основы и практическое применение различных электронных приборов. К физической электронике относят электронные и ионные процессы в газах и проводниках. На поверхности раздела между вакуумом и
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ РЯЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ РАДИОТЕХНИЧЕСКАЯ АКАДЕМИЯ КАФЕДРА РАДИОУПРАВЛЕНИЯ И СВЯЗИ КУРСОВОЙ ПРОЕКТ по дисциплине «Радиосистемы передачи информации» тема «Система сжатия и уплотнения каналов» Выполнил студент гр. 016 Сухов А.В. Проверил Макаров Д. А. Рязань 2000 Содержание Введение…………………………………………………………………………………….4 стр. 1. Расчёт частоты дискретизации…………………………………………………….5 стр. 2. Структурная схема и описание системы сжатия…………………………..6 стр. 3.
Микроконтроллеры AT90S2333 и AT90S4433 фирмы Atmel AT90S2333 и AT90S4433 — экономичные 8-битовые КМОП микроконтроллеры, построенные с использованием расширенной RISC архитектуры AVR. Исполняя по одной команде за период тактовой частоты, AT90S2333 и AT90S4433 имеют производительность около 1MIPS на МГц, что позволяет разработчикам создавать системы оптимальные по скорости и потребляемой мощности. В основе ядра AVR лежит расширенная
С О Д Е Р Ж А Н И Е Введение………………………………….3 1.Проблемы выбора источников электрической энергии…………………………………..4 2.Проблемы проектирования линий электропередач..5 3.Проблемы проектирования преобразвателей и распределителей электрической энергии………..9 Список литературы…………………………11 — 3 — Введение Перспектива создания в будущем крупной космической станции во многом зависит от ее системы электроснабжения, которая существенно влияет на общую массу станции, надежность,
Министерство образования РБ БЕЛОРУССКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ПОЛИТЕХНИЧЕСКАЯ АКАДЕМИЯ Кафедра “Робототехнические системы ” ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА к курсовому проекту по дисциплине “Автоматизированные системы управления технологическими процессами” Исполнитель Руководитель Минск 1998 СОДЕРЖАНИЕ 1. Введение 2. Аннотация 3. Формулировка задачи 4. Функциональная схема устройства и ее описание 5. Выбор элементной базы и характеристики микросхем 6. Описание схемы электрической принципиальной 7.
Министерство общего и высшего образования Российской Федерации Иркутский Государственный Университет Физический факультет Кафедра электроники твердого тела Курсовая работа Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения. Работу выполнил студент группы 1431 Ширяев Дмитрий Анатольевич Научный руководитель кандидат ф-м наук, доцент кафедры электроники твердого тела Синицкий Владимир Васильевич Иркутск 1998г. Оглавление
Московский энергетический институт (технический университет) ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Конспект лекций Москва, 2002 г. Содержание Лекция 1 5 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ 5 1.1. Электропроводность полупроводников 5 Лекция 2 10 1.2. Электроны в кристалле 10 1.2.1. Энергетические зоны. Свободные носители зарядов электроны и дырки. 10 1.2.3. Легирование кристаллов донорной или акцепторной примесью, полупроводники n» и